Le Snapdragon 875 dont on attend la sortie en 2021 serait fabriqué par TSMC et devrait adopter la gravure 5 nm. Avant cela, le Snapdragon 865 sera fabriqué par Samsung via le procédé de gravure EUV 7 nm en deux versions – l’une avec un modem 5G intégré et l’autre sans. Qualcomm s’aligne ainsi sur la concurrence, en particulier les puces Apple A13 qui doivent être gravées via un procédé 7nm amélioré – et les HiSilicon Kirin 990 qui doivent intégrer elles aussi un modem 5G. 

Snapdragon 875

Un rapport publié par le site Sina.com révèle que Qualcomm a confié la fabrication de son Snapdragon 865 à Samsung – après deux générations consécutives de SoC fabriquées par TSMC (Snapdragon 845 et 855). Ces SoC seront gravés en 7nm, mais selon un procédé de gravure EUV amélioré. Ce procédé dit de « lithographie ultraviolet extrême » utilise comme son nom l’indique des rayons ultraviolets, qui ont la particularité d’avoir une longueur d’onde plus courte ce qui leur permet de graver des détails plus fins et plus nets, et donc d’augmenter la densité de transistors.

Le Snapdragon 875 de 2021 serait gravé en 5 nm par TSMC

Selon Sina, ce nouveau procédé permettra une hausse significative des performances (entre 20% et 30%) ainsi qu’une amélioration de la consommation énergétique (entre 30% et 50%). Sina pense avoir repéré un score Geekbench multi-coeurs de 12946 – à comparer au 10946 attribué au Snapdragon 855+. Cette puce devrait logiquement se retrouver sur les Galaxy S11 qui doivent être lancés en 2020. Il devrait être produit en deux versions dont le nom de code serait Kona et Huracan. Les deux prendront en charge des puces mémoire LPDDX5 ainsi que le stockage ultra-rapide UFS 3.0. Ce qui différenciera principalement ces deux versions, c’est la présence ou non pour la première fois d’un modem 5G intégré.

Jusqu’à présent, ce composant est séparé du SoC et a tendance à chauffer, et à avoir un impact important sur l’autonomie. L’intégration du modem 5G dans le SoC permet d’améliorer son efficience énergétique. Or dès 2021, Qualcomm capitaliserait sur ces acquis tout en passant à la gravure 5 nm. Le Snapdragon 875 embarquerait ainsi 171,3 millions de transistors par millimètre carré. Qualcomm ferait pour cela de nouveau appel à TSMC – de plus en plus sollicité pour affiner la finesse de gravure. Apple, notamment doit lui confier la production de sa prochaine puce A13 – qui doit être gravé selon un nouveau procédé 7 nm dit N7+ ou « Pro » – qui utilise aussi une technologie de gravure EUV.

Lire également : Snapdragon 855 Plus – Qualcomm officialise son SoC boosté 5G et gaming

Qualcomm ne sera vraisemblablement pas le premier, d’ailleurs, à intégrer un modem 5G à ses SOC : on s’attend à ce qu’il soit devancé par HiSilicon et son Kirin 990 qui doit intégrer le modem 5G Balong 5000 directement dans le SoC, en plus d’un nouveau NPU plus puissant (Ascend 910). Celui-ci a pris un peu de retard, en raison des relations tendues entre la Chine et les Etats-Unis, mais devrait être dévoilé à l’occasion de la conférence que Huawei tient à l’IFA cette année le 6 septembre. Au delà des deux prochaines générations de Snapdragon, Qualcomm pourrait de nouveau faire appel à Samsung qui se positionne en ce moment pour faire partie des premiers fondeurs à proposer la gravure en 3 nm dès 2022.

Source : Sina.com

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