Galaxy S10+ : la version Snapdragon 855 bat l’Exynos 9820 sur benchmark AnTuTu
Le Galaxy S10+ apparaît sur benchmark AnTuTu dans ses deux versions : avec Exynos 9820 (Europe) et avec Snapdragon 855 (États-Unis). Les premiers résultats placent le modèle américain devant en termes de performances. Pour l’instant du moins.
Le Galaxy S10+ sera comme toujours disponible en plusieurs versions selon les régions. En Europe, nous aurons droit au S10 avec Exynos 9820, le SoC nouveau SoC maison de Samsung. Sur d’autres marchés dont notamment les États-Unis, le smartphone sera par contre équipé du Snapdragon 855 de Qualcomm tout juste officialisé. Si Samsung fait en sorte de trouver un équilibre pour avoir des performances similaires partout, on retrouve tout de même chaque fois des différences de performances.
Galaxy S10 + : la version européenne moins performante que l’américaine ?
Historiquement, ce sont les Galaxy sous Exynos qui sont avantagés. Rien d’étonnant, l’optimisation est toujours plus simple quand un groupe développe son propre hardware. C’est le gros point fort d’Apple avec ses iPhone, qui a un contrôle importante sur les composants et le logiciel avec iOS et ses puces. C’est plus compliqué pour l’intégration d’autres éléments, comme les modems par exemple. Les iPhone ne sont pas réputés pour leur vitesse de connexion.
Mais cette fois, c’est le contraire qu’on constate. Dans un comparatif de benchmarks AnTuTu que vous pouvez retrouver ci-dessus, le S10+ avec Snapdragon 855 s’en sort globalement mieux que celui sous Exynos 9820. Score de 343 051 pour le premier contre 325 067 pour le second, la différence n’est pas négligeable. Il reste bien du temps à Samsung pour régler cela et travailler une meilleure intégration de son Exynos 9820.
Dans les deux cas, les résultats restent excellents et confirment que le Galaxy S10+ fait mieux que le Huawei Mate 20 Pro sur benchmark AnTuTu. Le Kirin 980 du flagship de Huawei, première puce gravée en 7nm sur un smartphone Android, accuserait du retard sur la concurrence en 2019.
