Maj. le 5 mars 2018 à 11 h 06 min

Actuellement en test dans le Samsung Galaxy S7 et attendu au cœur du Xiaomi Mi5, le processeur Snapdragon 820 vient d’être à nouveau testé sur l’outil de benchmark Geekbench où il bat tous les records. La version 3 du prochain Soc de Qualcomm obtient, en effet, un score de 5910 points sur le test multi core et 2032 points sur le test single core. Une très belle performance supérieure à celle de l’Exynos 7420 sur les deux tests et de l’Apple A9 des iPhone 6S et 6S Plus sur le test multi core.

benchmark Snapdragon 820 version 3
Qualcomm Snapdragon.

Des scores également plus importants que ceux de la version 2 qui avait obtenu 1800 points sur le test single core et 4900 points sur le test multi core. Cette version remaniée est censée apporter 5 à 10% de puissance en plus que la précédente; Le Snapdragon 820 s’annonce déjà comme un monstre et devrait aisément parvenir à faire oublier le Snapdragon 810 et ses problèmes de surchauffe.

Malgré son excellent score, le processeur des hauts de gamme de 2016 ne parvient pas encore à dépasser le processeur Kirin 950 de Huawei (6096 points en multi core) mais il se positionne déjà comme l’un des meilleurs. En outre, comme nous l’apprenait le dernier communiqué de Qualcomm, mi-septembre, le Snapdragon 820 n’offrira pas que de la puissance, de gros efforts ayant également été faits du côté de l’expérience utilisateur notamment pour ce qui est de l’autonomie et de la consommation énergétique.

On notera également que le Snapdragon 820 fait mieux que l’Exynos 8890 testé à bord de l’une des deux versions du Galaxy S7 (Samsung teste actuellement les deux Soc). En outre, sachant que nous ne sommes qu’en septembre, Qualcomm a encore tout le temps d’optimiser son Soc d’ici décembre, date à laquelle le Xiaomi Mi5 est censé faire son arrivée.

Snapdragon 820 version 3 Geekbench

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