Le Galaxy S7 Snapdragon 820 continue d’impressionner sur les benchmarks

Le Samsung Galaxy S7 n’est pas encore là mais il ne cesse de se faire remarquer sur les benchmarks. La version Snapdragon 820 vient d’atteindre un score incroyable de 2456 points sur le test single core de Geekbench.

Galaxy S7 geekbench Snapdragon 820

Alors que la version Exynos 8 Octa du Galaxy S7 atteignait plus de 100 000 points sur AnTuTu dans un récent test découvert il y a quelques jours, c’est aujourd’hui au tour du modèle sous Snapdragon 820 de se faire remarquer, cette fois-ci, sur Geekbench. Sur un nouveau test posté dans le week end sur Weibo, l’appareil a, en effet, atteint un score de 5423 points sur le test multi core et 2456 points sur le test single core. C’est excellent, en particulier pour le test single core.

Galaxy S7 geekbench

A en croire Qualcomm, de grosses optimisations ont été réalisées avec ce nouveau Soc, en particulier du côté de la gestion thermique. Le Snapdragon 820 est gravé en 14 nanomètres par Samsung et profite donc des technologies les plus avancées proposées par la société coréenne, le tout associé au savoir faire de Qualcomm.

En outre, afin de préserver les performances du Galaxy S7 et d’éviter tout risque de surchauffe, Samsung aurait prévu d’intégrer des caloducs, composants censés dissiper la chaleur de façon à conserver des performances constantes lorsque le Soc est fortement sollicité. Technologie qu’on retrouve déjà dans certains smartphones actuellement sur le marché. Le coréen a visiblement décidé de prendre ses précautions de façon à concilier performances et expérience utilisateur.

Le Samsung Galaxy S7 sera vraisemblablement proposé en deux versions dont l’une équipée d’un processeur Snapdragon 820 et réservée à la Chine et aux USA et l’autre sous Exynos 8 Octa. Sa présentation officielle devrait avoir lieu le 21 février juste avant le MWC 2016. Le design du téléphone devrait rester similaire à celui du Galaxy S6.

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