Il y a une petite semaine, le Galaxy S6 Edge passait successivement sur AnTuTu et sur Geekbench et battait tous les records avec plus de 60 000 points sur le premier outil de benchmark et des scores déjà impressionnants de 1492 (single core) et 5077 (multi core) sur le second. Aujourd'hui, voilà qu'il repasse à nouveau sur Geekbench avec des scores encore plus élevés de 1495 en single core et 5375 en multi core.
Comme nous avions déjà pu le voir, le Galaxy S6 Edge se place au dessus de tous les terminaux figurants au sein de la base de données de Geekbench sur le test multi core et les seuls smartphones a le dépasser sur le test single core sont l'iPhone 6 et l'iPhone 6 Plus.
Lors du premier benchmark AnTuTu, sans doute réalisé avec une version non définitive du logiciel, nous avions alors émis la possibilité que les scores du Galaxy S6 Edge s'améliorent encore en amont de sa sortie. Dans le cas de Geekbench, c'est un peu différent car cet outil de test ne tient pas compte de l'optimisation logicielle mais seulement de la puissance du processeur.
Il y a quelques jours, Samsung officialisait sa dernière puce Exynos 7 Octa gravée en 14 nanomètres qui est justement celle qu'on devrait retrouver au sein de son prochain haut de gamme et de sa variante incurvée. Grâce à sa gravure en 14 nm via FinFET, ce nouveau processeur est en mesure d'offrir des performances 20% supérieures à celles de son homologue gravé en 20 nanomètres, le tout avec une consommation d'énergie réduite de 30 à 35%.
C'est visiblement ce processeur également appelé Exynos 7420 qu'on retrouvera accompagné de 3 Go de Ram au sein des deux prochains flagships de Samsung qui s'annoncent déjà comme deux véritables bêtes de course.
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