Samsung Exynos 8 Octa, le processeur du Galaxy S7 30% plus puissant que celui du S6

Maj. le 21 février 2017 à 20 h 38 min

Alors que le Galaxy S7 est prévu pour début 2016, Samsung vient de présenter son Exynos 8 Octa, processeur attendu au sein de l’appareil et grand « concurrent » du Snapdragon 820.

Exynos 8 Octa
L’Exynos 8 Octa.

Au lendemain de l’annonce de Qualcomm, Samsung a choisi de lever le voile sur son dernier processeur, l’Exynos 8 Octa qui n’est autre que le fameux Exynos 8890, attendu au cœur du Galaxy S7 et déjà repéré sur différents benchmarks. Un Soc complet qui, à l’instar du Snapdragon 820, intègre un modem 4G de catégorie 12/13 soit des débits de 600 Mbps en téléchargement et 150 Mbps en upload. Le premier processeur de la société qui combine CPU et modem sur la même puce.

Tout comme le Snapdragon 820, l’Exynos 8 Octa intègre des cœurs 64 Bit personnalisés. Au programme, quatre cœurs personnalisés basés sur une architecture ARMv8 et quatre cœurs A53. En termes d’améliorations, la société coréenne promet des performances 30% supérieures à celles du processeur Exynos 7420 du Galaxy S6 avec une efficacité énergétique augmentée de 10%.

exynos 8890 cores

Les performances graphiques du Soc sont assurées par un GPU Mali T880 qui est également celui employé par le processeur Kirin 950 attendu dans le Huawei Mate 8. Une puce qui devrait fournir des graphismes de haut-niveau. Samsung parle d’ailleurs d’une expérience graphique « hautement immersive ». Il dispose également de son propre ISP qui viendra travailler en étroite collaboration avec le capteur photo du Galaxy S7.

GPU Mali T880

Comme on peut le lire dans le communiqué de presse de Samsung, la production de masse de la puce Exynos 8 Octa du Galaxy S7 est prévue pour fin 2015 mais d’après les derniers bruits de couloir, elle aurait déjà démarré et n’atteindrait pas un rendement suffisant, raison pour laquelle, on devrait retrouver le Snapdragon 820 de Qualcomm sur la moitié des unités de l’appareil, en fonction des marchés.

Le dernier processeur de Samsung est gravé en 14 nanomètres, via la technologie FinFET, comme son prédécesseur.

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