Le Galaxy S9 aurait droit à un processeur surpuissant gravé en 7nm FinFET

Le Galaxy S8 n’est pas encore apparu que nos regards se tournent vers le futur et particulièrement celui des composants. En effet, TSMC a déjà annoncé que la gravure 7 nm FinFET commencerait ses tests dès cette année. Samsung relance aujourd’hui, annonçant l’arrivée de ses propres processeurs 7nm FinFET pour une disponibilité début 2018, à temps pour le Galaxy S9 !

galaxy s8 ecran borderless

Nous sommes à peine au début de l’année 2017, faisant que nous attendons toujours les dernières surprises des constructeurs de l’univers smartphone pour rythmer l’année à venir. Parmi eux, c’est bien sûr le Galaxy S8 qui est l’un des plus attendus.

Samsung n’a toutefois pas comme seule activité d’être constructeur de smartphone : c’est aussi un fondeur reconnu, créateur des Exynos et également producteur des Snapdragon 835 en partenariat avec Qualcomm. Cette année plus que jamais, le coréen est sur tous les fronts.

Alors que TSMC, l’un de ses rivaux sur ce secteur, a récemment annoncé la pré-production de processeurs gravés en 7nm FinFET dès cette année, Samsung renchérit aujourd’hui. Le fondeur annonce qu’il sera en mesure de proposer des processeurs gravés en 7nm finFET dès début 2018.

Soit juste à temps pour un éventuel Galaxy S9 ! Qui dit gravure plus fine dit gain de performances et réduction de la consommation d’énergie, comme nous le verrons déjà cette année avec la gravure en 10nm FinFET. Pour arriver à 7nm, Samsung utilise la lithographie EUV (Extreme Ultra Violet).

Une nouvelle qui pourrait choquer, alors que nous attendons toujours la présentation du Galaxy S8 prévue pour fin mars. Mais l’évolution technologique n’attend pas !

En effet, la division LSI de Samsung, qui s’occupe de ses processeurs, a un véritable coup à jouer sur ce secteur. Pouvoir se séparer de la domination de Qualcomm est également un impératif pour le constructeur, alors que celui-ci pratique des tarifs très élevés sur ses royalties.

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