Galaxy Note 7 : support des cartes UFS ultra rapides et des micro SD grâce à un slot 2 en 1

Maj. le 1 août 2016 à 10 h 40 min

Un peu moins d’un mois avant que le Galaxy Note 7 soit officiellement dévoilé, nous en apprenons déjà beaucoup sur lui et notamment son support des cartes mémoires UFS ultra rapides qui se fera en parallèle aux micro SD grâce à un nouveau slot 2 en 1.

microsd-UFS-samsung

Ces derniers temps, il n’y a pas que la mémoire RAM qui évolue, même si celle-ci connaît un regain de puissance avec la sortie des puces 6 et 12 go de Samsung. Ce dernier a également fait de belles vagues sur la mémoire de stockage.

D’aucuns connaissent la mémoire UFS, qui est celle principalement utilisée par la mémoire de stockage de base de nos téléphones. Désormais, nous pourrons également compter sur elle pour nos cartes de stockage amovible, Samsung ayant annoncé ses premières cartes UFS il y a peu.

Les débits de ces cartes sont impressionnants, mais elles ne sont hélas pas rétrocompatibles avec nos ports micro SD classiques. Heureusement, l’entreprise a confirmé qu’elle travaillait sur un nouveau design de slot compatible avec ces 2 technologies :

« Les nouvelles cartes UFS ne sont pas compatibles avec les ports micro SD actuels. Cependant, nous avons développé un nouveau design de ports supportant aussi bien les micro SD que les cartes UFS. Nous travaillons avec divers partenaires de l’industrie pour l’inclure dans la prochaine génération d’appareils« .

Il est attendu que le premier téléphone a bénéficié de ces nouveaux ports ne serait autre que le Galaxy Note 7, dont la fiche technique proposera déjà les toutes dernières technologies disponibles. Le Snapdragon 821, récemment officialisé, serait de la partie.

Ces cartes aux débits ultra rapides seraient particulièrement pratiques grâce à l’adoptive storage d’Android 6.0 Marshmallow, qui permet de considérer une carte comme le stockage interne. Les débits limités des micro SD limitant l’intérêt de celle-ci, ces nouvelles cartes représenteraient une véritable extension de la mémoire interne avec des performances équivalentes ne freinant pas l’appareil.

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